Die erste eMLC Einheit von TMS für mehr Speicherplatz

In den vergangenen Jahren hat Texas Memory Systems  ausschliesslich Single Level Cell (SLC) Technologie verwendet. Zahlreiche Wettbewerber setzen hingegen Multi Level Cell (MLC) Technik ein. Diese sind aber in Enterprise Umgebungen nicht zuverlässig genug.

Mit der Entwicklung von Enterprise MLC (eMLC) steht inzwischen eine Technologie zur Verfügung, die hohe Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit mit den Preisvorteilen von MLC verbindet. Für Data Warehousing und sonstige leseintensiven Umgebungen ist eMLC das ideale Tier1 Storage Medium.

Mit den neuesten eMLC Chips lassen sich 10 TB in einer RamSan 810 unterbringen, und das in einem kompakten 1U Gehäuse. 320000 IOPS und 4 GB/s via 8Gb Fibre Channel oder Quad Data Rate (QDR) InfiniBand sind beeindruckende Werte. Für besonders schreibintensive Anwendungen wird weiterhin SLC empfohlen!

15K Festplatten sind bei Tier1 Storage nicht mehr aktueller Stand der Technik. Die RamSan 810 weist bei Speicherdichte, Kosten und Zuverlässigkeit deutlich bessere Werte auf als Festplatten. Und das bei wesentlich höherer Performance und geringerem Energieverbrauch.

Trotz der geringen Bauhöhe lassen sich jeweils zwei Dualport 8 Gb Fibre Channel oder QDR InfiniBand Controller installieren. Redundante Netzteile sind selbstverständlich.

Die eMLC Flashzellen der RamSan 810 sind nicht flüchtig, d.h bei einem Stromausfall gehen keine Daten verloren. Die Flash Translation Tables befinden sich in batteriegepufferten RAMs und werden bei Stromausfall in den Flash geschrieben. Index Rebuilds und die damit verbundenen Wartezeiten gehören der Vergangenheit an.

Die RamSan 810 ist erste Wahl, wenn eine kostengünstige Lösung zur Beschleunigung von Applikationen gesucht wird, die mit schnellen Puffern und/oder häufigen wahlfreien Zugriffen arbeiten. Die Latzenzeiten sind extrem niedrig.

RamSan 810 bietet 10 TB Nettokapazität in einem 1U Rackgehäuse. Folgende Merkmale zeichnen das System aus:

• The World´s Fastest Storage® : 320000 IOPS für Lesen und Schreiben (sustained), 4 GB/s Bandbreite (random).

• FehlerToleranter Flash (FTF): Jede einzelne Flash Karte in der RamSan 810 verwendet ausschliesslich Enterprise MLC, die durch onboard RAID gegen Chipfehler abgesichert sind. Hochentwickelte ECC Algorithmen auf Chipebene sorgen für eine Fehlerkorrektur auf Blockebene.

• Series-7 Flash ControllerTM: Zu den wichtigsten Bausteinen der RamSan 810 gehört der Series-7 Flash Controller mit seinem PowerPC Prozessor. Spätere Upgrades sind möglich, so dass immer die aktuelle Controllertechnologie verfügbar ist.

• Variable Stripe RAID (VSR)TM: VSR ist eine patentierte TMS Technologie, die den Anteil fehlerhafter Bereiche drastisch reduziert. Im Fehlerfall kann VSR die Grösse eines Stripes dynamisch ändern und automatisch einem neuen Bereich zuweisen. Auf diese Weise können fehlerhafte Bereich umgangen werden, wo bei herkömmlichen Raids (d.h. feste Stripe Grösse) der gesamte Stripe Set unbrauchbar wird.

• 8 Gbit Fibre Anschlüsse: Jede RamSan 810 verfügt über zwei Dualport 8 Gb Fibre Channel Controller.

• QDR InfiniBand: Bis zu zwei QDR InfiniBand Ports können nachgerüstet werden.

• Active Spare: Eine FTF Karte lässt sich als Active Spare definieren. Wird auf einer Karte ein Fehler festgestellt, der den Austausch dieser Karte zur Folge hat, so verschiebt das Raidsystem die Daten dieser Karte auf den Active Spare. Damit ist die ursprüngliche Redundanz wieder hergestellt und die defekte Karte kann getauscht werden.

• Wear Levelling: Mit der implementierten Wear Levelling Technologie verfügt die RamSan 810 über ein ausgeklügeltes Verfahren zur Nutzungsverteilung. Damit wird die Lebensdauer der  Flashzellen signifikant bei Schreibzugriffen erhöht.

• Ausschliesslich nichtflüchtige Speicherzellen: Flash Speicher sind nichtflüchtig. Kondensatoren werden eingesetzt, um RAM Buffer in den Flash zu schreiben.

• Hochskalierbar: In einem 1U Chassis lassen sich 2 – 10 TB Flash Storage implementieren. Je nach Kapazitäts- und Leistungsanforderungen lassen sich mehrere Einheiten skalieren.

• Geringer Stromverbrauch: Eine RamSan 810 verbraucht nur 250 Watt.

Die RamSan 810 bietet skalierbare Performance mit hoher Kapazität zu bezahlbaren Preisen. In einer einzelnen Box lassen sich 10 TB eMLC Flash Speicher mit 4 GB/s realisieren.

In der RamSan 810 mit nur 1U Platzbedarf befindet sich eine Performance, die man sonst nur mit über 1000 Festplatten erreicht. 1000 Festplatten bedeutet sechs 19“ Racks, über 15000 Watt Stromverbrauch und Kosten für Gehäuse mit entsprechenden Controllern.
Jede RamSan 810 unterstützt zwei Dualport 8 Gb Fibre Channel oder QDR InfiniBand Ports. Installation und Management sind verblüffend einfach. Die Integration in gemischte Storage Infrastrukturen und deren Monitoring kann über ein herkömmliches Managementsystem erfolgen.

eMLC

RamSan 810 setzt eMLC NAND Flash als Speichermedium ein. Gegenüber herkömmlichen MLC zeichnet sich eMLC durch höhere Belastbarkeit und Schnelligkeit sowie einfacheres Management aus. Gedacht für Tier1 Applikationen ist eMLC deutlich kostengünstiger als SLC Storage.

Active Spare

Innerhalb einer RamSan 810 kann eine der Karten als Active Spare definiert werden. Diese Karte ist über das interne Raidsysstem eingebunden. Die Daten einer fehlerhaften Karte werden vom Raidsystem auf die Spare verschoben, so dass die ursprüngliche Redundanz wieder hergestellt ist. Die fehlerhafte Karte ist jetzt inaktiv und kann bei der nächsten Maintenance Downtime ausgetauscht werden.
Management
Über das optionale LUN Masking können verschiedene LUNs den einzelnen Flash Karten zugewiesen werden. Durch Spiegelung von LUNs kann der Datenschutz verbessert werden. Das Management des Systems lässt sich ebenfalls vereinfachen.

Automatisches Error Checking

Zur Datenintegrität kommen zwei unterschiedliche Methoden zum Einsatz Jeder einzelne Flash Chip verfügt über ein ECC Feld für den Initial Check. Darüber hinaus steuert jeder Flash Controller zehn Flash Chips mit Hilfe des von TMS patentierten Variable Stripe Set RAID (VSR). Der wear leveling Algorithmus läuft auf dem integrierten PowerPC Prozessor und ermöglicht lebensverlängernde Massnahmen in Echtzeit.

Fehlertoleranz

Die RamSan 810 ist für den Einsatz im Enterprise Umfeld konzipiert: onboard Prozessor Design,  Fehlerschutz auf zwei Ebenen, Variable Stripe RAID Funktionalität für den Flash, Einsatz von eMLC und ausgeklügeltes Wear Levelling.

Wear Levelling

Mit der von TMS selbst entwickelten Wear Levelling Technologie verfügt die RamSan 810 über ein ausgeklügeltes Verfahren zur Nutzungsverteilung. Damit wird die Lebensdauer der  Flashzellen signifikant bei Schreibzugriffen erhöht